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GaN 分立器件

峰值功率50W到700W; 工作頻率最高支持6GHz; 第三代化合物半導體工藝,效率更高、工作帶寬寬; 封裝材料自主開發設計,具有低成本、高氣密性、高熱導率、高良率。

  • Min.?Freq.(MHz)
    3400
    2500
    758
    2110
    2500
  • Max.?Freq.
    3600
    2700
    960
    2170
  • VDD(V)
    48
  • Pavg(dBm)
    47.4
    50.5
    41.8
  • DE@Pavg
    48.7
    52
    65
    57
    57.5
  • Gain(dB)
    14.5
    18.2
    15.5
    16
  • ACPR(dBc)
    -27
    -26
    -25
    -31
  • Test?Freq.
    3500
    2600
    780
    2140
    2600
  • MP?Status
    MP
    Q2/2022
    Q3/2022
  • Package
    ACC2110S-4L
    ACS2110S-4L
    QFN7*6.5
  • Process
    GaN

顯示6種產品

產品型號
Min.?Freq.(MHz)
Max.?Freq.
VDD(V)
Pavg(dBm)
DE@Pavg
Gain(dB)
ACPR(dBc)
Test?Freq.
MP?Status
Package
Process
HTH1D36P450H 340036004847.448.714.5-273500MPACC2110S-4LGaN
HTH1D27P450H 250027004847.45214.5-272600Q2/2022ACC2110S-4LGaN
HTH1D09P700S 7589604850.56518.2-26780Q3/2022ACS2110S-4LGaN
HTH1D21P700H 211021704850.55715.5-252140Q2/2022ACS2110S-4LGaN
HTH1D27P110P 250027004841.857.516-312600Q2/2022QFN7*6.5GaN
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